- высшее техническое образование; - опыт работы с установками молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) - GaN, GaAs, SiGe, CdHgTe, фокусированного ионного пучка, знание технологических процессов создания микросхем, умение вести научный поиск; - англ.яз.: технический перевод; - желательна аттестация по электробезопасности.