- высшее техническое образование;- опыт работы с установками молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) - GaN, GaAs, SiGe, CdHgTe, фокусированного ионного пучка, знание технологических процессов создания микросхем, умение вети научный поиск;- англ.яз.: технический перевод;- желательна аттестация по электробезопасности.