ОАО «НИИМЭ и Микрон» начал экспортные поставки чипов на пластинах диаметром 200 мм в Юго-Восточную Азию.

RFID-чипы «Микрона» будут использоваться в картах доступа, электронных ключах для жилых домов и гостиниц, сообщает пресс-служба предприятия.

«Сегодня Китай представляет собой самый крупный в мире рынок микроэлектроники. „Микрон“ работает в этом регионе уже около 20 лет и зарекомендовал себя как поставщик, способный конкурировать с местными производителями по соотношению цены и качества, — говорит заместитель генерального директора по маркетингу ОАО «НИИМЭ и Микрон» Андрей Голушко. — Используя существующую клиентскую базу и налаженные бизнес-связи, мы будем продвигать продукцию нашего нового производства по технологии 180 нм».

Значительная доля экспорта «Микрона» приходится на страны Юго-Восточной Азии: Китай, Гонконг, Тайвань, Южную Корею и Японию. Компания имеет в регионе собственные торговые представительства и сборочный завод. Основу экспорта составляют аналоговые схемы управления питанием. В 2007 году на производственной площадке «Микрона» в Зеленограде была открыла чистая комната для производства интегральных схем на пластинах диаметром 200 мм, где сегодня выпускаются чипы для RFID, смарт-карт, промышленной электроники, памяти и др. Доля экспорта в продажах ОАО «НИИМЭ и Микрон» составляет 15-20% от выручки.

«Микрон» входит в состав ОАО «Ситроникс», где является головным предприятием бизнес-направления «Ситроникс Микроэлектроника». Выручка направления в 2009 году составила 208,1 млн долларов США. Предприятие осуществляет поставки 400 заказчикам в России и 100 за рубежом. Завод на постоянной основе сотрудничает с более чем 60 научными организациями. Стоимость НИОКР составляет около 15% выручки предприятия. В компании заняты около 1700 сотрудников. В 2007 году на «Микроне» начало работать производство микросхем с топологическим уровнем 0,18 микрон по технологии EEPROM. В 2009 году стартовал совместный проект с госкорпорацией «Роснано» по созданию на базе «Микрона» производства интегральных схем на основе наноэлектронной технологии с проектными нормами 90 нм на пластинах диаметром 200 мм.